на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.87 грн |
10+ | 68 грн |
100+ | 48.48 грн |
500+ | 43.09 грн |
1000+ | 36.69 грн |
3000+ | 35.54 грн |
6000+ | 34.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS30ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 43.5A, On-state resistance: 10.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 36W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 30nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 120A, Case: PowerPAK® 1212-8, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SISS30ADN-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SISS30ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 43.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Case: PowerPAK® 1212-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
SISS30ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK |
товар відсутній |
||
SISS30ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK |
товар відсутній |
||
SISS30ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 43.5A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Case: PowerPAK® 1212-8 |
товар відсутній |