SiRS4302DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Виробник: Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 222.39 грн |
| 10+ | 181.99 грн |
| 100+ | 126.6 грн |
| 250+ | 116.53 грн |
| 500+ | 105.74 грн |
| 1000+ | 95.67 грн |
| 3000+ | 83.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiRS4302DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Ta), 478A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SiRS4302DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIRS4302DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 478A T/R |
товар відсутній |
||
 |
SiRS4302DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Ta), 478A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
|
|
SiRS4302DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Ta), 478A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.9W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 15 V |
товар відсутній |