Продукція > VISHAY / SILICONIX > SiRS4301DP-T1-GE3
SiRS4301DP-T1-GE3

SiRS4301DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

sirs4301dp.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V
на замовлення 7536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261 грн
10+ 215.91 грн
25+ 176.96 грн
100+ 151.78 грн
250+ 143.87 грн
500+ 135.23 грн
1000+ 123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiRS4301DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SiRS4301DP-T1-GE3 за ціною від 112.04 грн до 239.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SiRS4301DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sirs4301dp.pdf Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+116.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SiRS4301DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sirs4301dp.pdf Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19750 pF @ 15 V
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.66 грн
10+ 193.85 грн
100+ 156.85 грн
500+ 130.85 грн
1000+ 112.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIRS4301DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirs4301dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 227A T/R
товар відсутній
SIRS4301DP-T1-GE3 SIRS4301DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sirs4301dp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 227A T/R
товар відсутній