Продукція > VISHAY SILICONIX > SiRA96DP-T1-GE3
SiRA96DP-T1-GE3

SiRA96DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sira96dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiRA96DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SiRA96DP-T1-GE3 за ціною від 9.71 грн до 40.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SiRA96DP-T1-GE3 SiRA96DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira96dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+39.02 грн
11+ 32.51 грн
100+ 19.71 грн
500+ 15.39 грн
1000+ 12.52 грн
3000+ 9.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
SiRA96DP-T1-GE3 SiRA96DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sira96dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.46 грн
10+ 33.04 грн
100+ 24.67 грн
500+ 18.19 грн
1000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
SiRA96DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sira96dp.pdf SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIRA96DP-T1-GE3 SIRA96DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sira96dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній