SIRA90DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.77 грн |
| 6000+ | 44.27 грн |
| 9000+ | 42.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIRA90DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIRA90DP-T1-RE3 за ціною від 44.89 грн до 116.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIRA90DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V |
на замовлення 10283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIRA90DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8 |
на замовлення 40635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIRA90DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SIRA90DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20/±-16V On-state resistance: 1.15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 153nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIRA90DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20/±-16V On-state resistance: 1.15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 153nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |