Продукція > VISHAY > SIRA84BDP-T1-GE3
SIRA84BDP-T1-GE3

SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.87 грн
500+ 15.96 грн
1000+ 11.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIRA84BDP-T1-GE3 за ціною від 11.41 грн до 39.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIRA84BDP-T1-GE3 SIRA84BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SIRA84BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+34.13 грн
32+ 25.9 грн
100+ 21.87 грн
500+ 15.96 грн
1000+ 11.41 грн
Мінімальне замовлення: 24
SIRA84BDP-T1-GE3 SIRA84BDP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sira84bdp-1766684.pdf MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 13067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+39.44 грн
12+ 29.53 грн
100+ 21.65 грн
500+ 17.05 грн
1000+ 13.16 грн
3000+ 11.94 грн
6000+ 11.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIRA84BDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній