SIHU3N50DA-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.65 грн |
| 10+ | 59.48 грн |
| 100+ | 35.32 грн |
| 500+ | 29.49 грн |
| 1000+ | 25.1 грн |
| 3000+ | 22.3 грн |
| 6000+ | 21.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHU3N50DA-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHU3N50DA-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHU3N50DA-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V |
товар відсутній |