на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 495.98 грн |
| 10+ | 450.01 грн |
| 30+ | 334.49 грн |
| 120+ | 302.84 грн |
| 510+ | 267.59 грн |
| 1020+ | 240.26 грн |
| 5010+ | 230.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHS36N50D-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHS36N50D-GE3 за ціною від 208.43 грн до 546.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHS36N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHS36N50D-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHS36N50D-GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFET N-CHANNEL 500V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIHS36N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 112A; 446W; SUPER247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 446W Case: SUPER247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIHS36N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 112A; 446W; SUPER247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 446W Case: SUPER247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |