Продукція > VISHAY > SIHP8N50D-GE3
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3 VISHAY

sihp8n50d.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.8 грн
12+ 69.72 грн
100+ 51.81 грн
500+ 40.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP8N50D-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Інші пропозиції SIHP8N50D-GE3 за ціною від 35.25 грн до 105.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp8n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.15 грн
50+ 72.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp8n50d.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+105.74 грн
10+ 83.55 грн
100+ 57.47 грн
500+ 48.77 грн
1000+ 42.94 грн
5000+ 35.54 грн
10000+ 35.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 Виробник : Vishay sihp8n50d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
SIHP8N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihp8n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHP8N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihp8n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній