на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 182.95 грн |
10+ | 141.46 грн |
100+ | 100.71 грн |
250+ | 97.11 грн |
500+ | 87.76 грн |
1000+ | 76.25 грн |
2500+ | 74.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP6N80E-BE3 Vishay / Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP6N80E-BE3 за ціною від 75.17 грн до 227.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHP6N80E-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 800V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
SIHP6N80E-BE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A |
товар відсутній |