SIHP054N65E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 297.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP054N65E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.051 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: ITO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHP054N65E-GE3 за ціною від 299.96 грн до 669.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP054N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.051 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: ITO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP054N65E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHP054N65E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHP054N65E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.051 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: ITO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHP054N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SIHP054N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|