Продукція > VISHAY > SIHLZ24L-GE3

SIHLZ24L-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHLZ24L-GE3 VISHAY

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; I2PAK,TO262, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 68A, Power dissipation: 60W, Case: I2PAK; TO262, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 0.14Ω, Mounting: THT, Gate charge: 18nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SIHLZ24L-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHLZ24L-GE3 SIHLZ24L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET
товар відсутній
SIHLZ24L-GE3 Виробник : VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній