Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHFL110TR-GE3
SIHFL110TR-GE3

SIHFL110TR-GE3 Vishay Siliconix

sihfl110.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFL110TR-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHFL110TR-GE3 за ціною від 11.94 грн до 47.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHFL110TR-GE3 SIHFL110TR-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.58 грн
10+ 35.74 грн
100+ 24.83 грн
500+ 18.19 грн
1000+ 14.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIHFL110TR-GE3 SIHFL110TR-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfl110.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-223
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+47.58 грн
10+ 39.87 грн
100+ 24.1 грн
500+ 18.77 грн
1000+ 15.32 грн
2500+ 12.88 грн
10000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIHFL110TR-GE3 SIHFL110TR-GE3 Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній