на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 172.88 грн |
25+ | 163.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF080N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Інші пропозиції SIHF080N60E-GE3 за ціною від 123.64 грн до 331.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF080N60E-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
SIHF080N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
SIHF080N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHF080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
SIHF080N60E-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
SIHF080N60E-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
SIHF080N60E-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 14A Tube |
товар відсутній |