Продукція > VISHAY > SIHB24N65E-GE3
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3 VISHAY


VISH-S-A0000784749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+379.26 грн
10+ 240.47 грн
100+ 208.19 грн
500+ 181.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHB24N65E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHB24N65E-GE3 за ціною від 168.17 грн до 460.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihb24n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+444.79 грн
10+ 390.45 грн
25+ 257.52 грн
100+ 231.63 грн
250+ 228.75 грн
500+ 212.92 грн
1000+ 191.34 грн
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihb24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.65 грн
50+ 236.48 грн
100+ 216.44 грн
500+ 183.25 грн
1000+ 168.17 грн
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Виробник : Vishay sihb24n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SIHB24N65E-GE3 Виробник : VISHAY sihb24n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHB24N65E-GE3 Виробник : VISHAY sihb24n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній