SIHB120N60E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 276.1 грн |
| 25+ | 215.91 грн |
| 100+ | 164.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHB120N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHB120N60E-GE3 за ціною від 152.86 грн до 398.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB120N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIHB120N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A Tube |
товар відсутній |