SIHA12N50E-E3 Vishay / Siliconix
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.83 грн |
10+ | 115.81 грн |
100+ | 80.57 грн |
250+ | 78.41 грн |
500+ | 67.55 грн |
1000+ | 54.81 грн |
5000+ | 53.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA12N50E-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHA12N50E-E3 за ціною від 50.49 грн до 157.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHA12N50E-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
SIHA12N50E-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||||||||||||
SIHA12N50E-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
SIHA12N50E-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |