SIHA100N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 338.48 грн |
| 50+ | 258.23 грн |
| 100+ | 221.34 грн |
| 500+ | 184.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA100N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.086 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHA100N60E-GE3 за ціною від 167.6 грн до 405.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220 |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.086 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHA100N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 73A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 73A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHA100N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 73A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 73A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |