SI7114DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18.3A; Idm: 60A
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18.3A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18.3A; Idm: 60A
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18.3A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7114DN-T1-GE3 VISHAY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18.3A; Idm: 60A, Mounting: SMD, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 19nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 60A, Case: PowerPAK® 1212-8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 18.3A, On-state resistance: 10mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7114DN-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI7114DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 |
товар відсутній |
||
SI7114DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 |
товар відсутній |
||
SI7114DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 |
товар відсутній |
||
SI7114DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V |
товар відсутній |
||
SI7114DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18.3A; Idm: 60A Mounting: SMD Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 18.3A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |