Технічний опис SI4952DYT1E3 VISHAY
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4952DYT1E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4952DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI4952DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
 |
SI4952DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |