на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 318.07 грн |
10+ | 263.06 грн |
25+ | 221.55 грн |
100+ | 185.59 грн |
250+ | 179.11 грн |
500+ | 164.73 грн |
1000+ | 140.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4864DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI4864DY-T1-GE3 за ціною від 120.01 грн до 361.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI4864DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI4864DY-T1-GE3 Код товару: 194029 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
SI4864DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
SI4864DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V |
товар відсутній |