Продукція > VISHAY > SI4850BDY-T1-GE3

SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY

Name: SI4850BDY-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 3797262-6
Price: 25.45 UAH
Availability: InStock

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 15827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	41.88 грн
500+	34.17 грн
1000+	25.52 грн
5000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4850BDY-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SI4850BDY-T1-GE3 за ціною від 24.64 грн до 71.17 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 4210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
284+	43 грн
287+	42.57 грн
290+	42.14 грн
330+	35.66 грн
334+	32.69 грн
500+	29.64 грн
1000+	28.08 грн
3000+	26.54 грн

Мінімальне замовлення: 284

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 4210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
14+	43.84 грн
16+	39.93 грн
25+	39.53 грн
50+	37.73 грн
100+	30.66 грн
250+	29.14 грн
500+	27.52 грн
1000+	26.08 грн
3000+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 14

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	65.36 грн
10+	52 грн
100+	40.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay / Siliconix

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 4194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	67.89 грн
10+	55.84 грн
100+	38.34 грн
500+	34.82 грн
1000+	30 грн
5000+	27.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4850BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 11.3 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 15827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
12+	71.17 грн
15+	57.29 грн
100+	41.88 грн
500+	34.17 грн
1000+	25.52 грн
5000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 8.4A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 11.3A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.5W
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 11.3A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V

товар відсутній

SI4850BDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

товар відсутній