SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.25 грн |
| 5000+ | 15.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4848ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI4848ADY-T1-GE3 за ціною від 14.2 грн до 56.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4848ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4848ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V |
на замовлення 5435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4848ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 22363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.5 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4848ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI4848ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4848ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 5.5A; Idm: 20A; 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 9.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W On-state resistance: 0.133Ω Drain current: 5.5A Drain-source voltage: 150V кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI4848ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 5.5A; Idm: 20A; 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 9.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W On-state resistance: 0.133Ω Drain current: 5.5A Drain-source voltage: 150V |
товар відсутній |