SI4435DY. ONSEMI

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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

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Технічний опис SI4435DY. ONSEMI

Description: ONSEMI - SI4435DY. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 8.8, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: PowerTrench, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015, Betriebstemperatur, max.: 175, Schwellenspannung Vgs: 1.7, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).