на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3459BDV-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SI3459BDV-T1-E3 за ціною від 17.43 грн до 57.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V |
на замовлення 5905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 55024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 288mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8A Mounting: SMD Case: TSOP6 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI3459BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 288mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8A Mounting: SMD Case: TSOP6 |
товар відсутній |