Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3443CDV-T1-BE3
SI3443CDV-T1-BE3

SI3443CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3443cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3443CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 5.97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3443CDV-T1-BE3 за ціною від 11.8 грн до 40.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3443CDV-T1-BE3 SI3443CDV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3443cd.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.35 грн
10+ 30.65 грн
100+ 21.3 грн
500+ 15.6 грн
1000+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3443CDV-T1-BE3 SI3443CDV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3443cd.pdf MOSFETs TSOP P CHAN 20V
на замовлення 137068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.62 грн
10+ 34.08 грн
100+ 20.57 грн
500+ 16.04 грн
1000+ 12.88 грн
3000+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3443CDV-T1-BE3 SI3443CDV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3443cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3443CDV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3443cd.pdf P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товар відсутній