Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3437DV-T1-BE3
SI3437DV-T1-BE3

SI3437DV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3437dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.25 грн
10+ 51.93 грн
100+ 35.95 грн
500+ 28.19 грн
1000+ 23.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3437DV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI3437DV-T1-BE3 за ціною від 26.76 грн до 69.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3437DV-T1-BE3 SI3437DV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3437dv.pdf MOSFET P-CHANNEL 150-V (D-S)
на замовлення 36543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.49 грн
10+ 60.22 грн
100+ 35.75 грн
500+ 31.51 грн
3000+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI3437DV-T1-BE3 SI3437DV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3437dv.pdf Description: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
товар відсутній