SI2387DS-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 19.77 грн |
| 500+ | 11.39 грн |
| 1500+ | 10.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2387DS-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI2387DS-T1-GE3 за ціною від 7.76 грн до 38.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2387DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2387DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 3 A, 0.137 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 13513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2387DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2387DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET SOT-23 |
на замовлення 89168 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI2387DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.1A T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
SI2387DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI2387DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -3A; Idm: -10A Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -10A Case: SOT23 Drain-source voltage: -80V Drain current: -3A On-state resistance: 242mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SI2387DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 164mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 40 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI2387DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -3A; Idm: -10A Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -10A Case: SOT23 Drain-source voltage: -80V Drain current: -3A On-state resistance: 242mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |