Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI2377EDS-T1-BE3
SI2377EDS-T1-BE3

SI2377EDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

si2377eds.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 P CHAN 20V
на замовлення 20600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+32.81 грн
12+ 27.71 грн
100+ 15.75 грн
500+ 14.17 грн
1000+ 9.93 грн
3000+ 8.34 грн
9000+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2377EDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V.

Інші пропозиції SI2377EDS-T1-BE3 за ціною від 9.49 грн до 35.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2377EDS-T1-BE3 SI2377EDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2377eds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.79 грн
12+ 26.75 грн
100+ 16.06 грн
500+ 13.96 грн
1000+ 9.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2377EDS-T1-BE3 SI2377EDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2377eds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
товар відсутній