Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI2367DS-T1-BE3
SI2367DS-T1-BE3

SI2367DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

si2367ds.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S)
на замовлення 70169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.22 грн
13+ 26.22 грн
100+ 17.05 грн
500+ 13.38 грн
1000+ 10.72 грн
3000+ 9.06 грн
9000+ 8.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2367DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2367DS-T1-BE3 за ціною від 11.4 грн до 32.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2367DS-T1-BE3 SI2367DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2367ds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.68 грн
12+ 26.83 грн
100+ 20.01 грн
500+ 14.76 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2367DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2367ds.pdf P-Channel MOSFET
товар відсутній
SI2367DS-T1-BE3 SI2367DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2367ds.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
товар відсутній