Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2343DS-T1-BE3
SI2343DS-T1-BE3

SI2343DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2343ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.58 грн
10+ 36.49 грн
100+ 25.22 грн
500+ 19.78 грн
1000+ 16.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2343DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2343DS-T1-BE3 за ціною від 29.92 грн до 58.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2343DS-T1-BE3 SI2343DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2343ds.pdf MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S)
на замовлення 22410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.58 грн
10+ 51.04 грн
100+ 35.18 грн
3000+ 29.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2343DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2343ds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2343DS-T1-BE3 SI2343DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2343ds.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
товар відсутній