Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2337DS-T1-BE3
SI2337DS-T1-BE3

SI2337DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2337ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.46 грн
6000+ 26.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2337DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SI2337DS-T1-BE3 за ціною від 25.25 грн до 75.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2337ds.pdf Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 6790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.25 грн
10+ 54.25 грн
100+ 42.16 грн
500+ 33.54 грн
1000+ 27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2337ds.pdf MOSFETs SOT233 80V 2.2A P-CH MOSFET
на замовлення 69859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.7 грн
10+ 60.88 грн
100+ 41.22 грн
500+ 34.89 грн
1000+ 28.13 грн
3000+ 26.69 грн
6000+ 25.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній