Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2333DDS-T1-BE3
SI2333DDS-T1-BE3

SI2333DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2333dds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2333DDS-T1-BE3 за ціною від 7.84 грн до 31.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2333DDS-T1-BE3 SI2333DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2333dds.pdf Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 6 V
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.01 грн
14+ 23 грн
100+ 16 грн
500+ 11.72 грн
1000+ 9.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2333DDS-T1-BE3 SI2333DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2333dds.pdf MOSFETs SOT23 P CHAN 12V
на замовлення 65041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.22 грн
13+ 26.31 грн
100+ 15.9 грн
500+ 12.44 грн
1000+ 10.07 грн
3000+ 8.13 грн
9000+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2333DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2333DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2333DDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2333dds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній