Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2328DS-T1-BE3
SI2328DS-T1-BE3

SI2328DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2328ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.54 грн
6000+ 20.57 грн
9000+ 19.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2328DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 730mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI2328DS-T1-BE3 за ціною від 21.29 грн до 64.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2328DS-T1-BE3 SI2328DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 11844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.14 грн
10+ 49.53 грн
100+ 34.27 грн
500+ 26.88 грн
1000+ 22.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2328DS-T1-BE3 SI2328DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2328ds.pdf MOSFETs SOT233 100V 1.15A N-CH MOSFET
на замовлення 127572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.79 грн
10+ 55.26 грн
100+ 33.31 грн
500+ 27.84 грн
1000+ 23.67 грн
3000+ 21.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2328DS-T1-BE3 SI2328DS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній