SCT3080KLGC11

SCT3080KLGC11 ROHM Semiconductor


datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
на замовлення 856 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1503.05 грн
10+ 1472.48 грн
25+ 954.56 грн
100+ 906.36 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3080KLGC11 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SCT3080KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 165W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SCT3080KLGC11 за ціною від 876.28 грн до 1649.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SCT3080KLGC11 SCT3080KLGC11 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1572.59 грн
30+ 960.14 грн
120+ 876.28 грн
SCT3080KLGC11 SCT3080KLGC11 Виробник : ROHM 2702702.pdf Description: ROHM - SCT3080KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1649.39 грн
5+ 1584.84 грн
10+ 1521.09 грн
SCT3080KLGC11 SCT3080KLGC11 Виробник : Rohm Semiconductor sct3080kl-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCT3080KLGC11 Виробник : ROHM - Japan datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm SCT3080KLGC11 TSCT3080klgc11
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+997 грн
Мінімальне замовлення: 2
SCT3080KLGC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SCT3080KLGC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; 165W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Power dissipation: 165W
Case: TO247
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній