SCS308AMC ROHM Semiconductor
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 365.9 грн |
| 10+ | 264.71 грн |
| 100+ | 217.24 грн |
| 250+ | 210.05 грн |
| 500+ | 193.5 грн |
| 1000+ | 152.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS308AMC ROHM Semiconductor
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 33W; TO220FP-2; tube, Kind of package: tube, Power dissipation: 33W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Case: TO220FP-2, Max. off-state voltage: 650V, Max. load current: 27A, Max. forward voltage: 1.71V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 250A, Leakage current: 0.16mA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SCS308AMC за ціною від 403.07 грн до 403.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS308AMC | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODES SILICON CARBIDE |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| SCS308AMC | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 33W; TO220FP-2; tube Kind of package: tube Power dissipation: 33W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220FP-2 Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 27A Max. forward voltage: 1.71V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 0.16mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
| SCS308AMC | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 33W; TO220FP-2; tube Kind of package: tube Power dissipation: 33W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220FP-2 Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 27A Max. forward voltage: 1.71V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 0.16mA |
товар відсутній |