SCS304AGC16 ROHM Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 131-140 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 248.41 грн |
10+ | 205.98 грн |
100+ | 144.59 грн |
250+ | 136.67 грн |
500+ | 128.76 грн |
1000+ | 110.06 грн |
2500+ | 103.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS304AGC16 ROHM Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220ACFP, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS304AGC16
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SCS304AGC16 | Виробник : CODIXX AG |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
товар відсутній |