SCS220KE2GC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 893.37 грн |
25+ | 852.13 грн |
50+ | 817.83 грн |
100+ | 760.83 грн |
250+ | 682.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS220KE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції SCS220KE2GC11 за ціною від 506.56 грн до 1086.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SCS220KE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCS220KE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCS220KE2GC11 | Виробник : ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V, 20A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCS220KE2GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 270W; TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Max. load current: 94A Power dissipation: 270W Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 320A Max. forward voltage: 1.9V Leakage current: 0.2mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SCS220KE2GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 270W; TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Max. load current: 94A Power dissipation: 270W Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 320A Max. forward voltage: 1.9V Leakage current: 0.2mA |
товар відсутній |