Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RW1A020ZPT2R
RW1A020ZPT2R

RW1A020ZPT2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=RW1A020ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.68 грн
10+ 32.3 грн
100+ 22.45 грн
500+ 16.45 грн
1000+ 13.37 грн
2000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RW1A020ZPT2R Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-WEMT, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V.

Інші пропозиції RW1A020ZPT2R за ціною від 13.67 грн до 51.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RW1A020ZPT2R RW1A020ZPT2R Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RW1A020ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V .7A
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.28 грн
10+ 43.76 грн
100+ 28.49 грн
500+ 22.37 грн
1000+ 17.34 грн
2500+ 15.75 грн
8000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
RW1A020ZPT2R datasheet?p=RW1A020ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RW1A020ZPT2R RW1A020ZPT2R Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1A020ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
товар відсутній