RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 712000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 3.02 грн |
| 16000+ | 2.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RUM001L02T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RUM001L02T2CL за ціною від 1.81 грн до 29.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RUM001L02T2CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUM001L02T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUM001L02T2CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUM001L02T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RUM001L02T2CL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; Idm: 0.4A; 150mW; SOT723 Power dissipation: 0.15W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT723 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 0.4A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.1A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 16140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUM001L02T2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V |
на замовлення 721227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RUM001L02T2CL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; Idm: 0.4A; 150mW; SOT723 Power dissipation: 0.15W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT723 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 0.4A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.1A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RUM001L02T2CL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE |
на замовлення 106320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RUM001L02T2CL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |