Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTQ045N03HZGTR
RTQ045N03HZGTR

RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor

rtq045n03hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
438+27.86 грн
471+ 25.93 грн
473+ 25.83 грн
559+ 21.08 грн
1000+ 18.43 грн
2000+ 17.6 грн
3000+ 16.73 грн
6000+ 15.95 грн
Мінімальне замовлення: 438
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RTQ045N03HZGTR за ціною від 17.19 грн до 61.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : ROHM rtq045n03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.63 грн
500+ 25.03 грн
1000+ 17.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rtq045n03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
276+44.36 грн
287+ 42.58 грн
500+ 41.04 грн
1000+ 38.29 грн
Мінімальне замовлення: 276
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.36 грн
10+ 42.71 грн
100+ 29.61 грн
500+ 23.22 грн
1000+ 19.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rtq045n03hzgtr_e-1873406.pdf MOSFETs Automotive Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET. RTQ045N03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.23 грн
10+ 46.24 грн
100+ 28.2 грн
500+ 24.03 грн
1000+ 20.5 грн
3000+ 18.2 грн
6000+ 17.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : ROHM rtq045n03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RTQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+61.81 грн
18+ 46.16 грн
100+ 31.63 грн
500+ 25.03 грн
1000+ 17.5 грн
Мінімальне замовлення: 14
RTQ045N03HZGTR RTQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ045N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній