Продукція > ROHM > RSJ250P10FRATL
RSJ250P10FRATL

RSJ250P10FRATL ROHM

rsj250p10fratl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+91.99 грн
200+ 84.67 грн
500+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSJ250P10FRATL ROHM

Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RSJ250P10FRATL за ціною від 52.87 грн до 182.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsj250p10fratl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: TO263
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+121.85 грн
10+ 92.91 грн
12+ 74.93 грн
33+ 70.43 грн
200+ 68.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+122.01 грн
116+ 105.74 грн
126+ 97.2 грн
200+ 93.44 грн
500+ 73.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsj250p10fratl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+146.22 грн
10+ 115.78 грн
12+ 89.92 грн
33+ 84.52 грн
200+ 81.82 грн
500+ 80.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM rsj250p10fratl-e.pdf Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+158.16 грн
10+ 119.43 грн
50+ 91.99 грн
200+ 84.67 грн
500+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf MOSFETs Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
на замовлення 22366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+162.81 грн
10+ 123.26 грн
100+ 78.41 грн
500+ 67.55 грн
1000+ 58.77 грн
2000+ 54.53 грн
5000+ 52.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.08 грн
10+ 113.07 грн
100+ 77.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
RSJ250P10FRATL Виробник : ROHM - Japan rsj250p10fratl-e.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+67.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
товар відсутній
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Виробник : Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній