RSJ151P10TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 47.14 грн |
| 2000+ | 42.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSJ151P10TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RSJ151P10TL за ціною від 39.35 грн до 127.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSJ151P10TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSJ151P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSJ151P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSJ151P10TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V |
на замовлення 3072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSJ151P10TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSJ151P10TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSJ151P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RSJ151P10TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 50W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RSJ151P10TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 50W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |