RSD221N06TL

RSD221N06TL Rohm Semiconductor


rsd221n06.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+74.11 грн
173+ 70.8 грн
250+ 67.96 грн
500+ 63.16 грн
1000+ 56.57 грн
2500+ 52.71 грн
Мінімальне замовлення: 165
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSD221N06TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 22A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSD221N06TL за ціною від 51.29 грн до 74.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSD221N06TL RSD221N06TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd221n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 7367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+74.11 грн
173+ 70.8 грн
250+ 67.96 грн
500+ 63.16 грн
1000+ 56.57 грн
2500+ 52.71 грн
5000+ 51.29 грн
Мінімальне замовлення: 165
RSD221N06TL RSD221N06TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd221n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товар відсутній
RSD221N06TL RSD221N06TL Виробник : ROHM Semiconductor rsd221n06.pdf MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 22A
товар відсутній