![RJK0364DPA-00#J0 RJK0364DPA-00#J0](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2640/MFG_FDMS3622S.jpg)
RJK0364DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc
![RJK0364DPA.pdf?t.download=true&u=ovmfp3](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
464+ | 49.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0364DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Supplier Device Package: 8-WPAK (3), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK0364DPA-00#J0
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RJK0364DPA00J0 | Виробник : RENESAS |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
RJK0364DPA-00-J0 | Виробник : RENESAS | 10+ WPAK |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |