RGW00TS65GC13

RGW00TS65GC13 ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+418.77 грн
10+ 346.61 грн
25+ 284.14 грн
100+ 243.85 грн
250+ 230.19 грн
600+ 216.52 грн
1200+ 185.59 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGW00TS65GC13 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGW00TS65GC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RGW00TS65GC13 за ціною від 259.03 грн до 447.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGW00TS65GC13 RGW00TS65GC13 Виробник : ROHM 4155183.pdf Description: ROHM - RGW00TS65GC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+447.85 грн
10+ 320.36 грн
100+ 259.03 грн
Мінімальне замовлення: 2