RGTVX6TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 80A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 718.37 грн |
| 10+ | 606.36 грн |
| 25+ | 478.36 грн |
| 100+ | 439.51 грн |
| 250+ | 413.62 грн |
| 600+ | 387.72 грн |
| 1200+ | 348.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTVX6TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: 2S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 109 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247GE, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns, Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 171 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 144 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A, Power - Max: 404 W.
Інші пропозиції RGTVX6TS65DGC13 за ціною від 386.29 грн до 742.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTVX6TS65DGC13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 404W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RGTVX6TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| RGTVX6TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| RGTVX6TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 2S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 109 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-247GE IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 171 nC Current - Collector (Ic) (Max): 144 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A Power - Max: 404 W |
товар відсутній |