RGTVX2TS65DGC11

RGTVX2TS65DGC11 ROHM Semiconductor


datasheet?p=RGTVX2TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 60A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+608.44 грн
10+ 541.84 грн
30+ 449.58 грн
120+ 389.88 грн
510+ 339.53 грн
1020+ 299.24 грн
2520+ 288.45 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTVX2TS65DGC11 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RGTVX2TS65DGC11 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 319W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 111A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RGTVX2TS65DGC11 за ціною від 300.95 грн до 639.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGTVX2TS65DGC11 RGTVX2TS65DGC11 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTVX2TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 319 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+631.06 грн
30+ 356.32 грн
120+ 300.95 грн
RGTVX2TS65DGC11 RGTVX2TS65DGC11 Виробник : ROHM 3209044.pdf Description: ROHM - RGTVX2TS65DGC11 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 111A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+639.91 грн
10+ 517.25 грн
Мінімальне замовлення: 2