RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 170.36 грн |
| 10+ | 167.1 грн |
| 450+ | 137.39 грн |
| 5400+ | 136.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, DC-Kollektorstrom: 50, Anzahl der Pins: 3, Bauform - Transistor: TO-247N, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Verlustleistung Pd: 174, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: Lead (08-Jul-2021).
Інші пропозиції RGTH50TS65GC11 за ціною від 193.6 грн до 273.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGTH50TS65GC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TS65GC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt DC-Kollektorstrom: 50 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 174 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
товар відсутній |