RGTH50TK65DGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 59 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 301.13 грн |
| 30+ | 229.71 грн |
| 120+ | 196.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TK65DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 26 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 59 W.
Інші пропозиції RGTH50TK65DGC11 за ціною від 194.94 грн до 466.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TK65DGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TK65DGC11 - IGBT, 26 A, 1.6 V, 59 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 59 Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 26 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGTH50TK65DGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications. |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|